2013-2018全球场效电晶体年复合增11.66%_资讯

2013-2018全球场效电晶体年复合增11.66%

日期:2014-06-18 15:05 点击:213

根据ReportsnReports.com发布的全球金氧半场效晶体管（MOSFET）市场研究报告显示，2013-2018年，全球金氧半场效晶体管年复合增长率将达到11.66%。

金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

报告中还指出，2013-2018年，低压MOSFET年复合增长率为6.6%，高压MOSFET年复合增长率为7.5%。