报告中指出，2012年，北美地区是主要的GaN半导体消费市场，占全球市场份额的32.1%。不过未来一段时间内，亚太地区电子产业的迅猛发展是将成为带动这一市场增长的主要因素之一。预计2013-2019年，亚太地区的GaN半导体设备市场年复合增长率约为27.7%。

GaN（氮化镓）是第三代半导体材料，与现在的Si功率半导体相比， GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。

随着市场对高速、高温和额定功率需求的增长，半导体产业也重新开始考虑设计和原材料。当今世界上电脑设备发展趋势是速度越来越快，体积越来越小，这也就意味着硅在半导体行业中的使用情况越来越偏离摩尔定律。

由于GaN（氮化镓）的独特特性，如优良的噪声系数，最大电流系数高，击穿电压高，振荡频率高等，都使其成为众多行业的首要选择，如军事，航空航天和国防领域，汽车领域和独特的高功率材料应用，如工业，太阳能，发电和风力等。

2012年，光学半导体占全球GaN半导体市场份额的96.6%，这主要是因为军事、航公、国防和消费电子产品广泛采用GaN光学半导体。不过未来，随着高功率设备的需求日益增长，GaN功率半导体将迎来大幅度增长。

关于摩尔定律

英特尔前总裁摩尔先生在1965年提出摩尔定律，认为芯片中的晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。1975年，摩尔又修正了摩尔定律，他认为，每隔24个月，晶体管的数量将翻番。

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