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2013-2018全球场效电晶体年复合增11.66%

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-06-18
核心提示:根据ReportsnReports.com发布的全球金氧半场效晶体管(MOSFET)市场研究报告显示,2013-2018年,全球金氧半场效晶体管年复合增
       根据ReportsnReports.com发布的全球金氧半场效晶体管(MOSFET)市场研究报告显示,2013-2018年,全球金氧半场效晶体管年复合增长率将达到11.66%。

金属-氧化层半导体场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。

报告中还指出,2013-2018年,低压MOSFET年复合增长率为6.6%,高压MOSFET年复合增长率为7.5%。

 
 
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